• Производитель:
    SAMSUNG
  • Гарантия
    1 год
  • Артикул:
    MZ-V8P2T0BW
  • Доступно:
    1 шт.
  • Размеры (Д x Ш x В):
    14.50 x 2.20 x -
22 890р.
в течении 7 дней
NVMe  есть
Время наработки на отказ 1500000 ч
Время наработки на отказ 1500000 ч
Гарантия 60 мес.
Гарантия 60 мес.
Интерфейс подключения PCI-E x4
Интерфейс  PCI-E x4
Максимальная скорость записи 5100 МБ/с
Максимальная скорость записи 5100 МБ/с
Максимальная скорость чтения 7000 МБ/с
Максимальная скорость чтения 7000 МБ/с
Объем накопителя 2 048 ГБ
Поддержка NVMe есть
Потребляемая мощность 7.2 Вт
Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.035 Вт
Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.035 Вт
Ресурс TBW 1200 ТБ
Ресурс работы, TBW  1200 ТБ
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1000000
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1000000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1000000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1000000
Тип жесткого диска SSD
Тип жесткого диска SSD
Тип памяти V-NAND
Тип памяти NAND V-NAND
Форм-фактор M.2 2280
Форм-фактор  M.2 2280
Объём накопителя 2 ТБ
Мощность, ВТ 7.2 Вт
Написать отзыв