| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
30 |
| Год релиза |
2018 |
| Двухсторонняя установка чипов |
Есть |
| Код производителя |
[QUM3S-4G1600K11L] |
| Количество модулей в комплекте |
1 шт |
| Количество чипов модуля |
16 |
| Модель |
QUMO |
| Объем модуля, Гб |
4 ГБ |
| Пропускная способность |
PC12800 |
| Суммарный объем памяти всего комплекта |
4 ГБ |
| Тактовая частота MHz |
1600 |
| Тип |
оперативная память |
| Тип памяти |
DDR3L |
| CAS Latency (CL) |
11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
11 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
11 |
| Напряжение питания, В |
1.35 В |
Характеристики товаров, внешний вид, комплектация носят ознакомительный характер и не являются публичной офертой.
![Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ](https://user43214.clients-cdnnow.ru/image/cache/catalog/312/312660_f5afb-1000x1000.jpg "Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ")
![Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ](https://user43214.clients-cdnnow.ru/image/cache/catalog/312/312660_9e916-1000x1000.jpg "Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ")
![Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ](https://user43214.clients-cdnnow.ru/image/cache/catalog/312/312660_4df4b-1000x1000.jpg "Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ")