DDR-4, 21300 Мб/с, CL18-18-18-43, 1.2 В
- Производитель:
- Гарантия3 года
- Артикул:PVS416G266C8S
- Доступно:200 шт.
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 43 |
| Высота модуля | 30 мм |
| Код производителя | PVS416G266C8S |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем модуля, Гб | 16384 Мб |
| Объем одного модуля памяти | 16384 Мб |
| Производитель | Patriot Memory |
| Пропускная способность, Мб/с | 21300 Мб/с |
| Система охлаждения | нет |
| Тактовая частота, Мгц | 2666 МГц |
| Тип памяти | DDR-4 |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| CAS Latency (CL) | 18 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 18 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 18 |
| Напряжение питания, В | 1.2 В |